全球尖端芯片制造方式预计2030年前发生重大改变

　　

全球尖端芯片制造面临供应紧张，主流极紫外（EUV）光刻技术并非将微小晶体管印刷在硅片上的唯一路径。据美国媒体近日报道，一批有望替代EUV的前沿光刻方案正加速演进，全球尖端芯片制造方式预计在2030年前发生重大改变。

其中，原子光刻技术不使用光源，转而采用原子束在硅片上蚀刻极微小的图案。一旦实现产业化，该方法可将特征尺寸在现有EUV基础上再缩小一至两个数量级。另一项受关注的方案是X射线光刻，旨在利用更短波长的射线突破当前制程限制。

上述技术均处于研发与验证阶段，若能取得突破，将打破少数企业在尖端芯片制造领域的产能与技术集中，为下一代芯片提供新的制造路径。

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本文源自：市场资讯

作者：疏桐